QualcommがCES2017でSnapdragon 835の詳細なスペックを発表しました。以下に概要を記載しました。
概要
Snapdragon 835は10nm FinFETで製造されており、パッケージサイズが35%縮小しました。電力消費が前フラグシップ（Snapdragon 821だと思われます）比べ25%減りました。
最大2.45GHzで動作する4つのビックコアと1.9GHzまで動作する4つのリトルコアを搭載するSnapdragon 835、Kryo 280 CPU具体的な性能向上は私が見た資料ですと書いてありませんでした。
OpenGL ES 3.2、フルOpenCL 2.0、Vulkan、DX12をサポートしたAdreno 540 GPU、性能は全フラグシップに比べ25%高速になりました。
Snapdragon X16 LTEモデム、4×4 MIMO対応で4つのアンテナで通信することでモバイル通信でもダウンロードで1Gbps、アップロードで150Mbpsの高速通信に対応しました。ダウンロードは最大1Gbpsと光通信並の速度で使用可能に。
802.11ad対応、802.11adは60GHz 帯を使用する新しいWi-Fiの規格です。802.11adは最大4.6Gbpsの転送速度に対応し60GHzと高周波数を使用しているので近い距離での使用が前提です。
また、Wi-Fiの規格ですがUSB接続やディスプレイ接続などの周辺機器との接続を有線ではなく無線で代替するのが主眼のようです。
802.11ac Wave 2対応、2ストリームに対応で最大866Mbpsの速度に対応しました。MU-MIMO対応で1ユーザごとにアンテナを分ける効率的な通信が可能になりました。
Bluetooth5.0対応5.0では今でのBluetooth4.2比べ4倍の範囲に通信可能に、さらに通信速度は2Mbpsまで速度に対応しました。
aptXとaptX HD Bluetoothオーディオをサポートします。
Quick Charge 4対応、 Quick Charge 4はQualcommの高速充電規格の最新の物でQuick Charge 3.0に比べて最大20%速く、30%効率的に充電可能です。また、USB PDとの互換があり、USB PD対応のACアダプターでも高速な充電が可能です。
Qualcomm Haven Security Suite、指紋、音声、虹彩と顔認識の生体ソフトウェアパッケージ。
Snapdragon 835は2017年前半に製品搭載予定とのことでした。
まとめ
Snapdragon 835は色々な新規格に対応したので製品が出るのが楽しみです。性能向上は細かい発表が無いのでイマイチ期待できないかもしれませんが、快適に使う上で大事な通信規格の対応が一新したので期待できると思います。
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